Przypisanie pamięci Inne lub brakujące;
Typ pamięci DDR3L;
Częstotliwość pamięci 1600;
TCL (opóźnienie sygnału CAS) 11 barów;
TRCD (opóźnienie między RAS # i CAS #) 11 barów;
TRP (czas ładowania linii) 11 barów;
TRAS (czas aktywności wiersza) 30 barów;
Pojemność jednego modułu 2;
Ilość w zestawie 1;
Współczynnik kształtu 240-stykowe moduły DIMM;
Wielokanałowy Inne lub brakujące;
Kontrola błędów nie-ECC;
Buforowanie Niebuforowany;
Napięcie zasilania 1.35;
Typ przesyłki RTL (1 moduł);
Przypisanie pamięci Inne lub brakujące;
Typ pamięci DDR3L;
Częstotliwość pamięci 1600;
TCL (opóźnienie sygnału CAS) 11 barów;
TRCD (opóźnienie między RAS # i CAS #) 11 barów;
TRP (czas ładowania linii) 11 barów;
TRAS (czas aktywności wiersza) 30 barów;
Pojemność jednego modułu 2;
Ilość w zestawie 1;
Współczynnik kształtu 240-stykowe moduły DIMM;
Wielokanałowy Inne lub brakujące;
Kontrola błędów nie-ECC;
Buforowanie Niebuforowany;
Napięcie zasilania 1.35;
Typ przesyłki RTL (1 moduł);
Przypisanie pamięci Inne lub brakujące;
Typ pamięci DDR3L;
Częstotliwość pamięci 1600;
TCL (opóźnienie sygnału CAS) 11 barów;
TRCD (opóźnienie między RAS # i CAS #) 11 barów;
TRP (czas ładowania linii) 11 barów;
TRAS (czas aktywności wiersza) 30 barów;
Pojemność jednego modułu 2;
Ilość w zestawie 1;
Współczynnik kształtu 240-stykowe moduły DIMM;
Wielokanałowy Inne lub brakujące;
Kontrola błędów nie-ECC;
Buforowanie Niebuforowany;
Napięcie zasilania 1.35;
Typ przesyłki RTL (1 moduł);
Przypisanie pamięci Inne lub brakujące;
Typ pamięci DDR3L;
Częstotliwość pamięci 1600;
TCL (opóźnienie sygnału CAS) 11 barów;
TRCD (opóźnienie między RAS # i CAS #) 11 barów;
TRP (czas ładowania linii) 11 barów;
TRAS (czas aktywności wiersza) 30 barów;
Pojemność jednego modułu 2;
Ilość w zestawie 1;
Współczynnik kształtu 240-stykowe moduły DIMM;
Wielokanałowy Inne lub brakujące;
Kontrola błędów nie-ECC;
Buforowanie Niebuforowany;
Napięcie zasilania 1.35;
Typ przesyłki RTL (1 moduł);
Nazwa handlowa Kluczowy;
Gwarancja producenta 5 lat;
Kod producenta CT4G4DFS8266;
Współczynnik kształtu DIMM;
Typ pamięci DDR-4;
Pamięć 4096 MB;
Linijka Kluczowy;
krótka informacja 4096 MB, DDR-4, 21300 MB/s, CL19, 1,2 V;
Objętość jednego modułu 4096 MB;
Liczba modułów w zestawie 1;
Pasmo 21300 Mb/s;
Opóźnienie CAS (CL) 19;
Napięcie zasilania 1,2V;
System chłodzenia Nie;
Waga 0,15 kg;
Nazwa handlowa Kluczowy;
Gwarancja producenta 5 lat;
Kraj produkcji Chiny;
Kod producenta BLS4G4D240FSB;
Współczynnik kształtu DIMM;
Typ pamięci DDR-4;
Pamięć 4096 MB;
Objętość jednego modułu 4096 MB;
Liczba modułów w zestawie 1;
Częstotliwość pamięci 2400 MHz;
Pasmo 19200 Mb/s;
Opóźnienie CAS (CL) 16;
Opóźnienie RAS do CAS (tRCD) 16;
Opóźnienie wstępnego ładowania rzędu (tRP) 16;
Napięcie zasilania 1,2V;
System chłodzenia Pasywny (grzejnik);
Waga 0,03 kg;
Przypisanie pamięci Inne lub brakujące;
Typ pamięci DDR4;
Częstotliwość pamięci 2400;
TCL (opóźnienie sygnału CAS) 17 barów;
TRCD (opóźnienie między RAS # i CAS #) 17 barów;
TRP (czas ładowania linii) 17 barów;
Pojemność jednego modułu 4;
Ilość w zestawie 1;
Współczynnik kształtu SO-DIMM 260-piny;
Wielokanałowy Inne lub brakujące;
Kontrola błędów nie-ECC;
Buforowanie Niebuforowany;
Napięcie zasilania 1.2;
Typ przesyłki RTL (1 moduł);
Przypisanie pamięci Inne lub brakujące;
Typ pamięci DDR4;
Częstotliwość pamięci 2400;
TCL (opóźnienie sygnału CAS) 17 barów;
TRCD (opóźnienie między RAS # i CAS #) 17 barów;
TRP (czas ładowania linii) 17 barów;
Pojemność jednego modułu 4;
Ilość w zestawie 1;
Współczynnik kształtu SO-DIMM 260-piny;
Wielokanałowy Inne lub brakujące;
Kontrola błędów nie-ECC;
Buforowanie Niebuforowany;
Napięcie zasilania 1.2;
Typ przesyłki RTL (1 moduł);
Przypisanie pamięci Inne lub brakujące;
Typ pamięci DDR4;
Częstotliwość pamięci 2400;
TCL (opóźnienie sygnału CAS) 17 barów;
TRCD (opóźnienie między RAS # i CAS #) 17 barów;
TRP (czas ładowania linii) 17 barów;
Pojemność jednego modułu 4;
Ilość w zestawie 1;
Współczynnik kształtu 288-stykowe moduły DIMM;
Wielokanałowy Inne lub brakujące;
Kontrola błędów nie-ECC;
Buforowanie Niebuforowany;
Napięcie zasilania 1.2;
Typ przesyłki RTL (1 moduł);
Przypisanie pamięci Inne lub brakujące;
Typ pamięci DDR4;
Częstotliwość pamięci 2400;
TCL (opóźnienie sygnału CAS) 17 barów;
TRCD (opóźnienie między RAS # i CAS #) 17 barów;
TRP (czas ładowania linii) 17 barów;
Pojemność jednego modułu 4;
Ilość w zestawie 1;
Współczynnik kształtu 288-stykowe moduły DIMM;
Wielokanałowy Inne lub brakujące;
Kontrola błędów nie-ECC;
Buforowanie Niebuforowany;
Napięcie zasilania 1.2;
Typ przesyłki RTL (1 moduł);
Przypisanie pamięci Inne lub brakujące;
Typ pamięci DDR4;
Częstotliwość pamięci 2666;
TCL (opóźnienie sygnału CAS) 19 barów;
TRCD (opóźnienie między RAS # i CAS #) 19 barów;
TRP (czas ładowania linii) 19 barów;
Pojemność jednego modułu 4;
Ilość w zestawie 1;
Współczynnik kształtu 288-stykowe moduły DIMM;
Wielokanałowy Inne lub brakujące;
Kontrola błędów nie-ECC;
Buforowanie Niebuforowany;
Napięcie zasilania 1.2;
Typ przesyłki RTL (1 moduł);
Przypisanie pamięci Inne lub brakujące;
Typ pamięci DDR4;
Częstotliwość pamięci 2666;
TCL (opóźnienie sygnału CAS) 19 barów;
TRCD (opóźnienie między RAS # i CAS #) 19 barów;
TRP (czas ładowania linii) 19 barów;
Pojemność jednego modułu 4;
Ilość w zestawie 1;
Współczynnik kształtu 288-stykowe moduły DIMM;
Wielokanałowy Inne lub brakujące;
Kontrola błędów nie-ECC;
Buforowanie Niebuforowany;
Napięcie zasilania 1.2;
Typ przesyłki RTL (1 moduł);
Nazwa handlowa Kluczowy;
Gwarancja producenta 5 lat;
Kraj produkcji Chiny;
Kod producenta BLS4G4D240FSC;
Współczynnik kształtu DIMM;
Typ pamięci DDR-4;
Pamięć 4096 MB;
Objętość jednego modułu 4096 MB;
Liczba modułów w zestawie 1;
Częstotliwość pamięci 2400 MHz;
Pasmo 19200 Mb/s;
Opóźnienie CAS (CL) 16;
Opóźnienie RAS do CAS (tRCD) 16;
Opóźnienie wstępnego ładowania rzędu (tRP) 16;
Napięcie zasilania 1,2V;
System chłodzenia Pasywny (grzejnik);
Waga 0,03 kg;
Nazwa handlowa Kluczowy;
Gwarancja producenta 5 lat;
Kraj produkcji Chiny;
Kod producenta CT4G4SFS824A;
Współczynnik kształtu SO-DIMM;
Typ pamięci DDR-4;
Pamięć 4096 MB;
Objętość jednego modułu 4096 MB;
Liczba modułów w zestawie 1;
Częstotliwość pamięci 2400 MHz;
Pasmo 19200 Mb/s;
Opóźnienie CAS (CL) 17;
Napięcie zasilania 1,2V;
Waga 0,1 kg;
Przypisanie pamięci Inne lub brakujące;
Typ pamięci DDR3;
Częstotliwość pamięci 1600;
TCL (opóźnienie sygnału CAS) 11 barów;
TRCD (opóźnienie między RAS # i CAS #) 11 barów;
TRP (czas ładowania linii) 11 barów;
TRAS (czas aktywności wiersza) 30 barów;
Pojemność jednego modułu 4;
Ilość w zestawie 1;
Współczynnik kształtu 240-stykowe moduły DIMM;
Wielokanałowy Inne lub brakujące;
Kontrola błędów nie-ECC;
Buforowanie Niebuforowany;
Napięcie zasilania 1.35;
Ostrzeżenie Typ pakietu został określony niepoprawnie lub nie został określony;
Przypisanie pamięci Inne lub brakujące;
Typ pamięci DDR3;
Częstotliwość pamięci 1600;
TCL (opóźnienie sygnału CAS) 11 barów;
TRCD (opóźnienie między RAS # i CAS #) 11 barów;
TRP (czas ładowania linii) 11 barów;
TRAS (czas aktywności wiersza) 30 barów;
Pojemność jednego modułu 4;
Ilość w zestawie 1;
Współczynnik kształtu 240-stykowe moduły DIMM;
Wielokanałowy Inne lub brakujące;
Kontrola błędów nie-ECC;
Buforowanie Niebuforowany;
Napięcie zasilania 1.35;
Ostrzeżenie Typ pakietu został określony niepoprawnie lub nie został określony;
Nazwa handlowa Kluczowy;
Gwarancja producenta 5 lat;
Kraj produkcji Chiny;
Kod producenta BLS4G4D26BFSC;
Współczynnik kształtu DIMM;
Typ pamięci DDR-4;
Pamięć 4096 MB;
Objętość jednego modułu 4096 MB;
Liczba modułów w zestawie 1;
Częstotliwość pamięci 2666 MHz;
Pasmo 21300 Mb/s;
Opóźnienie CAS (CL) 16;
Opóźnienie RAS do CAS (tRCD) 18;
Opóźnienie wstępnego ładowania rzędu (tRP) 18;
Napięcie zasilania 1,2V;
System chłodzenia Pasywny (grzejnik);
Waga 0,1 kg;
Przypisanie pamięci Inne lub brakujące;
Typ pamięci DDR4;
Częstotliwość pamięci 2400;
TCL (opóźnienie sygnału CAS) 16 barów;
TRCD (opóźnienie między RAS # i CAS #) 16 barów;
TRP (czas ładowania linii) 16 barów;
TRAS (czas aktywności wiersza) 40 barów;
Pojemność jednego modułu 4;
Ilość w zestawie 1;
Współczynnik kształtu 288-stykowe moduły DIMM;
Wielokanałowy Inne lub brakujące;
Kontrola błędów nie-ECC;
Buforowanie Niebuforowany;
Napięcie zasilania 1.2;
Typ przesyłki RTL (1 moduł);
Przypisanie pamięci Inne lub brakujące;
Typ pamięci DDR4;
Częstotliwość pamięci 2400;
TCL (opóźnienie sygnału CAS) 16 barów;
TRCD (opóźnienie między RAS # i CAS #) 16 barów;
TRP (czas ładowania linii) 16 barów;
TRAS (czas aktywności wiersza) 40 barów;
Pojemność jednego modułu 4;
Ilość w zestawie 1;
Współczynnik kształtu 288-stykowe moduły DIMM;
Wielokanałowy Inne lub brakujące;
Kontrola błędów nie-ECC;
Buforowanie Niebuforowany;
Napięcie zasilania 1.2;
Typ przesyłki RTL (1 moduł);
