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Affectation de mémoire Autre ou manquant;

Type de mémoire DDR3L;

Fréquence mémoire 1600;

TCL (retard de signal de numéro de CAS) 11 barres;

TRCD (délai entre le # RAS et le # CAS) 11 barres;

TRP (temps de recharge de la ligne) 11 barres;

TRAS (temps d'activité de la ligne) 30 barres;

Capacité d'un module 2;

Quantité incluse 1;

Facteur de forme DIMM 240 broches;

À canaux multiples Autre ou manquant;

Contrôle des erreurs Non-ECC;

mise en mémoire tampon Non tamponné;

Tension d'alimentation 1.35;

Type d'emballage RTL (1 module);

Affectation de mémoire Autre ou manquant;

Type de mémoire DDR3L;

Fréquence mémoire 1600;

TCL (retard de signal de numéro de CAS) 11 barres;

TRCD (délai entre le # RAS et le # CAS) 11 barres;

TRP (temps de recharge de la ligne) 11 barres;

TRAS (temps d'activité de la ligne) 30 barres;

Capacité d'un module 2;

Quantité incluse 1;

Facteur de forme DIMM 240 broches;

À canaux multiples Autre ou manquant;

Contrôle des erreurs Non-ECC;

mise en mémoire tampon Non tamponné;

Tension d'alimentation 1.35;

Type d'emballage RTL (1 module);

Affectation de mémoire Autre ou manquant;

Type de mémoire DDR3L;

Fréquence mémoire 1600;

TCL (retard de signal de numéro de CAS) 11 barres;

TRCD (délai entre le # RAS et le # CAS) 11 barres;

TRP (temps de recharge de la ligne) 11 barres;

TRAS (temps d'activité de la ligne) 30 barres;

Capacité d'un module 2;

Quantité incluse 1;

Facteur de forme DIMM 240 broches;

À canaux multiples Autre ou manquant;

Contrôle des erreurs Non-ECC;

mise en mémoire tampon Non tamponné;

Tension d'alimentation 1.35;

Type d'emballage RTL (1 module);

Affectation de mémoire Autre ou manquant;

Type de mémoire DDR3L;

Fréquence mémoire 1600;

TCL (retard de signal de numéro de CAS) 11 barres;

TRCD (délai entre le # RAS et le # CAS) 11 barres;

TRP (temps de recharge de la ligne) 11 barres;

TRAS (temps d'activité de la ligne) 30 barres;

Capacité d'un module 2;

Quantité incluse 1;

Facteur de forme DIMM 240 broches;

À canaux multiples Autre ou manquant;

Contrôle des erreurs Non-ECC;

mise en mémoire tampon Non tamponné;

Tension d'alimentation 1.35;

Type d'emballage RTL (1 module);

Marque Crucial;

Garantie constructeur 5 années;

Code constructeur CT4G4DFS8266;

Facteur de forme DIMM;

Type de mémoire DDR-4;

Mémoire 4096 Mo;

Règle Crucial;

brève information 4096 Mo, DDR-4, 21300 Mo/s, CL19, 1,2 V;

Volume d'un module 4096 Mo;

Nombre de modules inclus 1;

Bande passante 21300 Mo/s;

Latence CAS (CL) 19;

Tension d'alimentation 1,2 V;

Système de refroidissement Non;

Poids 0,15 kilogrammes ;

Marque Crucial;

Garantie constructeur 5 années;

Le pays de fabrication Chine;

Code constructeur BLS4G4D240FSB;

Facteur de forme DIMM;

Type de mémoire DDR-4;

Mémoire 4096 Mo;

Volume d'un module 4096 Mo;

Nombre de modules inclus 1;

Fréquence mémoire 2400 MHz;

Bande passante 19200 Mo/s;

Latence CAS (CL) 16;

Délai RAS vers CAS (tRCD) 16;

Délai de précharge de rangée (tRP) 16;

Tension d'alimentation 1,2 V;

Système de refroidissement Passif (radiateur);

Poids 0,03 kilogrammes ;

Affectation de mémoire Autre ou manquant;

Type de mémoire DDR4;

Fréquence mémoire 2400;

TCL (retard de signal de numéro de CAS) 17 barres;

TRCD (délai entre le # RAS et le # CAS) 17 barres;

TRP (temps de recharge de la ligne) 17 barres;

Capacité d'un module 4;

Quantité incluse 1;

Facteur de forme SO-DIMM 260 broches;

À canaux multiples Autre ou manquant;

Contrôle des erreurs Non-ECC;

mise en mémoire tampon Non tamponné;

Tension d'alimentation 1.2;

Type d'emballage RTL (1 module);

Affectation de mémoire Autre ou manquant;

Type de mémoire DDR4;

Fréquence mémoire 2400;

TCL (retard de signal de numéro de CAS) 17 barres;

TRCD (délai entre le # RAS et le # CAS) 17 barres;

TRP (temps de recharge de la ligne) 17 barres;

Capacité d'un module 4;

Quantité incluse 1;

Facteur de forme SO-DIMM 260 broches;

À canaux multiples Autre ou manquant;

Contrôle des erreurs Non-ECC;

mise en mémoire tampon Non tamponné;

Tension d'alimentation 1.2;

Type d'emballage RTL (1 module);

Affectation de mémoire Autre ou manquant;

Type de mémoire DDR4;

Fréquence mémoire 2400;

TCL (retard de signal de numéro de CAS) 17 barres;

TRCD (délai entre le # RAS et le # CAS) 17 barres;

TRP (temps de recharge de la ligne) 17 barres;

Capacité d'un module 4;

Quantité incluse 1;

Facteur de forme DIMM 288 broches;

À canaux multiples Autre ou manquant;

Contrôle des erreurs Non-ECC;

mise en mémoire tampon Non tamponné;

Tension d'alimentation 1.2;

Type d'emballage RTL (1 module);

Affectation de mémoire Autre ou manquant;

Type de mémoire DDR4;

Fréquence mémoire 2400;

TCL (retard de signal de numéro de CAS) 17 barres;

TRCD (délai entre le # RAS et le # CAS) 17 barres;

TRP (temps de recharge de la ligne) 17 barres;

Capacité d'un module 4;

Quantité incluse 1;

Facteur de forme DIMM 288 broches;

À canaux multiples Autre ou manquant;

Contrôle des erreurs Non-ECC;

mise en mémoire tampon Non tamponné;

Tension d'alimentation 1.2;

Type d'emballage RTL (1 module);

Affectation de mémoire Autre ou manquant;

Type de mémoire DDR4;

Fréquence mémoire 2666;

TCL (retard de signal de numéro de CAS) 19 barres;

TRCD (délai entre le # RAS et le # CAS) 19 barres;

TRP (temps de recharge de la ligne) 19 barres;

Capacité d'un module 4;

Quantité incluse 1;

Facteur de forme DIMM 288 broches;

À canaux multiples Autre ou manquant;

Contrôle des erreurs Non-ECC;

mise en mémoire tampon Non tamponné;

Tension d'alimentation 1.2;

Type d'emballage RTL (1 module);

Affectation de mémoire Autre ou manquant;

Type de mémoire DDR4;

Fréquence mémoire 2666;

TCL (retard de signal de numéro de CAS) 19 barres;

TRCD (délai entre le # RAS et le # CAS) 19 barres;

TRP (temps de recharge de la ligne) 19 barres;

Capacité d'un module 4;

Quantité incluse 1;

Facteur de forme DIMM 288 broches;

À canaux multiples Autre ou manquant;

Contrôle des erreurs Non-ECC;

mise en mémoire tampon Non tamponné;

Tension d'alimentation 1.2;

Type d'emballage RTL (1 module);

Marque Crucial;

Garantie constructeur 5 années;

Le pays de fabrication Chine;

Code constructeur BLS4G4D240FSC;

Facteur de forme DIMM;

Type de mémoire DDR-4;

Mémoire 4096 Mo;

Volume d'un module 4096 Mo;

Nombre de modules inclus 1;

Fréquence mémoire 2400 MHz;

Bande passante 19200 Mo/s;

Latence CAS (CL) 16;

Délai RAS vers CAS (tRCD) 16;

Délai de précharge de rangée (tRP) 16;

Tension d'alimentation 1,2 V;

Système de refroidissement Passif (radiateur);

Poids 0,03 kilogrammes ;

Marque Crucial;

Garantie constructeur 5 années;

Le pays de fabrication Chine;

Code constructeur CT4G4SFS824A;

Facteur de forme SO-DIMM;

Type de mémoire DDR-4;

Mémoire 4096 Mo;

Volume d'un module 4096 Mo;

Nombre de modules inclus 1;

Fréquence mémoire 2400 MHz;

Bande passante 19200 Mo/s;

Latence CAS (CL) 17;

Tension d'alimentation 1,2 V;

Poids 0,1 kg;

Affectation de mémoire Autre ou manquant;

Type de mémoire DDR3;

Fréquence mémoire 1600;

TCL (retard de signal de numéro de CAS) 11 barres;

TRCD (délai entre le # RAS et le # CAS) 11 barres;

TRP (temps de recharge de la ligne) 11 barres;

TRAS (temps d'activité de la ligne) 30 barres;

Capacité d'un module 4;

Quantité incluse 1;

Facteur de forme DIMM 240 broches;

À canaux multiples Autre ou manquant;

Contrôle des erreurs Non-ECC;

mise en mémoire tampon Non tamponné;

Tension d'alimentation 1.35;

Avertissement Le type de package est spécifié de manière incorrecte ou n'est pas spécifié;

Affectation de mémoire Autre ou manquant;

Type de mémoire DDR3;

Fréquence mémoire 1600;

TCL (retard de signal de numéro de CAS) 11 barres;

TRCD (délai entre le # RAS et le # CAS) 11 barres;

TRP (temps de recharge de la ligne) 11 barres;

TRAS (temps d'activité de la ligne) 30 barres;

Capacité d'un module 4;

Quantité incluse 1;

Facteur de forme DIMM 240 broches;

À canaux multiples Autre ou manquant;

Contrôle des erreurs Non-ECC;

mise en mémoire tampon Non tamponné;

Tension d'alimentation 1.35;

Avertissement Le type de package est spécifié de manière incorrecte ou n'est pas spécifié ;

Marque Crucial;

Garantie constructeur 5 années;

Le pays de fabrication Chine;

Code constructeur BLS4G4D26BFSC;

Facteur de forme DIMM;

Type de mémoire DDR-4;

Mémoire 4096 Mo;

Volume d'un module 4096 Mo;

Nombre de modules inclus 1;

Fréquence mémoire 2666 MHz;

Bande passante 21300 Mo/s;

Latence CAS (CL) 16;

Délai RAS vers CAS (tRCD) 18;

Délai de précharge de rangée (tRP) 18;

Tension d'alimentation 1,2 V;

Système de refroidissement Passif (radiateur);

Poids 0,1 kg;

Affectation de mémoire Autre ou manquant;

Type de mémoire DDR4;

Fréquence mémoire 2400;

TCL (retard de signal de numéro de CAS) 16 barres;

TRCD (délai entre le # RAS et le # CAS) 16 barres;

TRP (temps de recharge de la ligne) 16 barres;

TRAS (temps d'activité de la ligne) 40 barres;

Capacité d'un module 4;

Quantité incluse 1;

Facteur de forme DIMM 288 broches;

À canaux multiples Autre ou manquant;

Contrôle des erreurs Non-ECC;

mise en mémoire tampon Non tamponné;

Tension d'alimentation 1.2;

Type d'emballage RTL (1 module);

Affectation de mémoire Autre ou manquant;

Type de mémoire DDR4;

Fréquence mémoire 2400;

TCL (retard de signal de numéro de CAS) 16 barres;

TRCD (délai entre le # RAS et le # CAS) 16 barres;

TRP (temps de recharge de la ligne) 16 barres;

TRAS (temps d'activité de la ligne) 40 barres;

Capacité d'un module 4;

Quantité incluse 1;

Facteur de forme DIMM 288 broches;

À canaux multiples Autre ou manquant;

Contrôle des erreurs Non-ECC;

mise en mémoire tampon Non tamponné;

Tension d'alimentation 1.2;

Type d'emballage RTL (1 module);